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大功率IGBT在新能源汽车范畴的的研发环境若何?
 Time2018-10-05

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT分析了以上两种器件的长处,驱动功率小而饱和压降低。很是适合使用于直流电压为600V及以上的变流系统如交换电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。

  IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产物;封装后的IGBT模块间接使用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

  IGBT模块具有节能、安装维修便利、秒速赛车彩票平台散热不变等特点;当前市场上发卖的多为此类模块化产物,一般所说的IGBT也指IGBT模块;跟着节能环保等理念的推进,此类产物在市场大将越来越多见;

  IGBT是能源变换与传输的焦点器件,俗称电力电子安装的“CPU”,能源装备作为国度计谋性新兴财产,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源配备等范畴使用极广。

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